$$ \small \begin{array}{ll} A & \text{Querschnitt, Fläche} \\ A_{Dr} & \text{Drahtquerschnitt} \\ A_{Fe} & \text{Eisenkernquerschnitt} \\ A_L & \text{Induktivitätskonstante (z. B. in nH)} \\ A_S & \text{Querschnittsfläche der Spule} \\ a & \text{Dämpfungsmaß (z. B. in dB)} \\ a_F & \text{Rauschzahl gemessen mit} \\ & \text{Eingangsabschluss bei 290 K (z. B. in dB)} \\ \text{AWGN} & \text{Additive White Gaussian Noise (Additives} \\ & \text{weißes gaußsches Rauschen)} \\ B, B_1, B_2 & \text{Bandbreiten} \\ B_m & \text{magnetische Flussdichte} \\ C & \text{Kapazität} \\ C‘ & \text{Kapazitätsbelag (Kapazität pro Meter)} \\ C_G & \text{Gesamtkapazität} \\ C_1, C_2, C_3, & \text{Teilkapazitäten} \\ C_n & \\ c & \text{Phasengeschwindigkeit} \\ c_0 & \text{Vakuumlichtgeschwindigkeit, } c_0 = 3 \cdot 10^8 \frac{\text{m}}{\text{s}} \\ d & \text{Abstand, Entfernung} \\ E & \text{elektrische Feldstärke} \\ \text{EIRP} & \text{äquivalente isotrope Strahlungsleistung} \\ \text{ERP} & \text{äquivalente (effektive) Strahlungsleistung} \\ e & \text{Eulersche Zahl, } e = 2,718 \ldots \\ F & \text{Rauschzahl (Eingangsabschluss bei 290 K)} \\ f & \text{Frequenz} \\ f_c, f_k, f_{krit}, & \text{Höchste Frequenz, bei der senkrecht in die} \\ f_{oF2} & \text{Ionosphäre eintretende Strahlung von der} \\ & \text{gegebenen Region noch gebrochen wird} \\ f_E & \text{eingestellte Empfangsfrequenz} \\ f_g & \text{Grenzfrequenz} \\ f_{mod} & \text{Modulationsfrequenz} \\ f_{mod\,max} & \text{höchste Modulationsfrequenz} \\ f_{opt} & \text{optimale Frequenz} \\ f_{OSZ} & \text{Oszillatorfrequenz} \\ f_S & \text{Spiegelfrequenz} \\ f_{ZF} & \text{Zwischenfrequenz} \\ f_0 & \text{Resonanzfrequenz} \\ G & \text{Gewinnfaktor} \\ G_d & \text{Gewinnfaktor bezogen auf den} \\ & \text{Halbwellendipol} \\ G_i & \text{Gewinnfaktor bezogen auf den isotropen} \\ & \text{Strahler} \\g & \text{Verstärkungsmaß/Gewinn (z. B. in dB)} \\ g_d & \text{Gewinn bezogen auf den Halbwellendipol} \\ & \text{(z. B. in dB)} \\ g_i & \text{Gewinn bezogen auf den isotropen Strahler} \\ & \text{(z. B. in dB)} \\ \text{GPSDO} & \text{GPS Disciplined Oscillator} \\ & \text{(GPS-synchronisierter Oszillator)} \\ H & \text{magnetische Feldstärke} \\ I & \text{Stromstärke} \\ I_B & \text{Basisgleichstrom} \\ I_C & \text{Kollektorgleichstrom} \\ I_E & \text{Emittergleichstrom} \\ I_G & \text{Gesamtstrom} \\ I_P & \text{Primärstromstärke} \\ I_S & \text{Sekundärstromstärke} \\ I_1, I_2 & \text{Teilströme} \\ k & \text{Boltzmann-Konstante, } k = 1,38 \cdot 10^{-23} \frac{\text{W s}}{\text{K}} \\ k_v & \text{Verkürzungsfaktor} \\ L & \text{Induktivität} \\ L‘ & \text{Induktivitätsbelag (Induktivität pro Meter)} \\ L_G & \text{Gesamtinduktivität} \\ L_1, L_2, L_3, & \text{Teilinduktivitäten} \\ L_n & \\ l & \text{Länge} \\ l_m & \text{mittlere Feldlinienlänge} \\ \text{MUF} & \text{Höchste brauchbare Frequenz bei der} \\ & \text{Ausbreitung elektromagnetischer Wellen} \\ & \text{infolge ionosphärischer Brechung} \\ m & \text{Modulationsindex} \\ N & \text{Windungszahl} \\ N_P & \text{Primärwindungszahl} \\ N_S & \text{Sekundärwindungszahl} \\ N_V & \text{Windungszahl pro Volt} \\ \text{OCXO} & \text{Oven-Controlled Crystal Oscillator} \\ & \text{(Quarzoszillator mit Quarzofen)} \\ P & \text{Leistung} \\ P_R & \text{Rauschleistung} \\ P_S & \text{Senderleistung} \\ P_{\text{ERP}} & \text{ERP Strahlungsleistung} \\ P_{\text{EIRP}} & \text{EIRP Strahlungsleistung} \\ P_V & \text{Verlustleistung} \\ P_{\text{ab}} & \text{abgegebene Leistung} \\ P_{\text{zu}} & \text{zugeführte Leistung} \\p & \text{Pegel der Leistung (z. B. in dBm oder dBW)} \\ p_S & \text{Pegel der Senderleistung (z. B. in dBm)} \\ p_{ERP} & \text{Pegel der ERP Strahlungsleistung (z. B. in dBm)} \\ p_{EIRP} & \text{Pegel der EIRP Strahlungsleistungen (z. B. in dBm)} \\ \text{PEP} & \text{Peak Envelope Power (Hüllkurvenspitzenleistung)} \\ Q & \text{Güte} \\ R & \text{Widerstand} \\ R_G & \text{Gesamtwiderstand} \\ R_i & \text{Innenwiderstand} \\ R_1, R_2, R_3, R_n & \text{Teilwiderstände} \\ R_p & \text{paralleler Verlustwiderstand} \\ R_s & \text{serieller Verlustwiderstand} \\ r & \text{Reflexionsfaktor} \\ S & \text{Stromdichte} \\ \text{SNR} & \text{Signal-Rausch-Verhältnis (z. B. in dB)} \\ s, \text{SWR}, \text{SWV}, \text{VSWR} & \text{Stehwellenverhältnis oder Welligkeit} \\ T & \text{Periodendauer} \\ T_K & \text{Temperatur in Kelvin bezogen auf den absoluten Nullpunkt } T_0 \\ & (T_0 = 0 \text{ K} = -273,15 \text{ °C; d. h. 20 °C} \approx 293 \text{ K}) \\ t & \text{Zeit} \\ \text{TCXO} & \text{Temperature Compensated Crystal Oscillator} \\ & \text{(Temperaturkompensierter Quarzoszillator)} \\ U & \text{Spannung} \\ U_{eff} & \text{Effektivspannung} \\ U_G & \text{Gesamtspannung} \\ U_P & \text{Primärspannung} \\ U_R & \text{effektive Rauschspannung an } R \\ U_S & \text{Sekundärspannung} \\ U_{SS} & \text{Spannung von Spitze zu Spitze} \\ U_1, U_2 & \text{Teilspannungen} \\ \hat{U} & \text{Spitzenspannung} \\ \hat{U}_{mod} & \text{Amplitude der Modulationsspannung} \\ \hat{U}_T & \text{Amplitude der HF-Trägerspannung} \\ u & \text{Pegel der Spannung (z. B. in dBu)} \\ \ddot{u} & \text{Übersetzungsverhältnis} \\v_I & \text{Wechselstromverstärkung} \\ v_U & \text{Wechselspannungsverstärkung} \\ v_P & \text{Leistungsverstärkung für Wechselstrom} \\ \text{VCO} & \text{Voltage-Controlled Oscillator} \\ & \text{(Spannungsgesteuerter Oszillator)} \\ W & \text{Arbeit/Energie} \\ X & \text{Blindwiderstand} \\ X_C & \text{kapazitiver Blindwiderstand} \\ X_L & \text{induktiver Blindwiderstand} \\ \text{XO} & \text{Crystal Oscillator (Quarzoszillator)} \\ Z & \text{Wellenwiderstand} \\ Z_A & \text{Ausgangsscheinwiderstand} \\ Z_E & \text{Eingangsscheinwiderstand} \\ Z_{F0} & \text{Feldwellenwiderstand des freien Raumes,} \\ & Z_{F0} = \sqrt{\frac{\mu_0}{\epsilon_0}} = 120\pi \, \Omega \\ Z_P & \text{Primärer Scheinwiderstand} \\ Z_S & \text{Sekundärer Scheinwiderstand} \\ \Delta I & \text{Stromänderung} \\ \Delta I_B & \text{Basisstromänderung} \\ \Delta I_C & \text{Kollektorstromänderung} \\ \Delta U & \text{Spannungsänderung} \\ \Delta U_{CE} & \text{Kollektor-Emitter-Spannungsänderung} \\ \Delta U_{BE} & \text{Basis-Emitter-Spannungsänderung} \\ \alpha & \text{Abstrahlwinkel der Antenne (Höhenwinkel)} \\ \beta & \text{Wechselstromverstärkung} \\ \epsilon_0 & \text{elektrische Feldkonstante,} \\ & \epsilon_0 = \frac{1}{\mu_0 \cdot c_0^2} = 0,885 \cdot 10^{-11} \frac{\text{A s}}{\text{V m}} \\ \epsilon_r & \text{relative Dielektrizitätszahl} \\ \eta & \text{Wirkungsgrad} \\ \lambda & \text{Wellenlänge} \\ \mu_0 & \text{magnetische Feldkonstante,} \\ & \mu_0 = \frac{4\pi}{10^7} \frac{\text{V s}}{\text{A m}} = 1,2566 \cdot 10^{-6} \frac{\text{H}}{\text{m}} \\ \mu_r & \text{relative Permeabilität (Luft} \approx 1) \\ \rho & \text{spezifischer elektrischer Widerstand} \\ \omega & \text{Kreisfrequenz} \end{array} $$